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Silicon carbide
第一代半導體就是以硅、鍺單元素材料為代表,主要就是硅;第二代半導體是以砷化鎵、磷化銦等化合物材料為代表;第三代半導體是以碳化硅和氮化鎵等寬禁帶化合物材料為代表。其中碳化硅具有:耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射的優(yōu)勢,所以近年來成了新能源車、光伏、5G基站等多個領域的新寵,可以大幅度減積減重、提高效率、降低損耗。 相關產(chǎn)品:
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